A SK Hynix está preparando-se para produzir memórias NAND com até 400 camadas em 2025. Embora as informações não tenham sido oficialmente divulgadas, vêm de parceiros da cadeia de suprimentos necessários para a nova tecnologia. Essa tecnologia híbrida de ligação, conhecida como wafer-to-wafer (W2W), envolverá uma infraestrutura diferente em comparação com o atual processo 4D NAND.
No atual processo 4D NAND, as células são empilhadas sobre a área do circuito, o que cresce a pressão e o calor no local à medida que o número de células aumenta. Com a tecnologia W2W, as células e periféricos seriam fabricados em wafers independentes e ligados em um único componente.
A SK Hynix pretende começar a produção assim que a nova infraestrutura estiver disponível. Em contraste, a Kioxia já anunciou a possibilidade de produtos com mais de 1.000 camadas a partir de 2027. Outros concorrentes, como Samsung e Micron, também trabalham em produtos com número impressivo de camadas.
O Samsung começou a produzir massivamente produtos V-NAND de 290 camadas e projeta mais de 1.000 camadas para 2030. A Micron, por sua vez, já produz componentes com 276 camadas desde julho, no processo 3D NAND.
Fonte: Adrenaline
